在使用内部FLASH的时候移植原子的程序里面使用了STMFLASH.c和stmflash.h,开始使用了系统的stm32f4xx_flash.c就出现了问题,报错Error: L6200E: Symbol __asm___17_stm32f4xx_flash_c_a2a150d6____REV16 multiply 说是定义重复了.将其去除就可以了. 原文:http://www.cnblogs.com/constanto/p/7092628.html
因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序。原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页。下面程序调试通过。/******************************************************************************** Function Name : I2C_EE_BufferRead* Description : Reads a block of data from the EEPRO...
转载:http://bbs.21ic.com/icview-586199-1-1.html百为STM32开发板教程之十一——NOR FLASH参考文档:百为stm32开发板光盘\st官方参考资料\Application notes\AN2784 Using the high-density STM32F10xxx FSMC peripheral to drive external memories.pdf百为stm32开发板光盘\芯片数据手册\M29W128G.pdf百为stm32开发板光盘\芯片数据手册\STM32F10xxx参考手册CD00171190.pdf实验目的: 实现擦除和读写M29W128GH NOR FLASH的第二个块...
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说明
此套方案是刚刚给别人做的项目的一个存储方案,因为很实用,几乎大...
1 #define ADDR_FLASH_PAGE_255 ((uint32_t)0x0807F800)2 #define BufferSize 63 #define TEST_ERROR -14 #define TEST_SUCCESS 05 #define TEST_FAILED 16 7 uint16_t usFlashWriteBuf[BufferSize] = {0x0201,0x0403,0x0605,0x0807,0x0A09,0x0C0B};8 uint16_t usFlashReadBuf[BufferSize] = {0};9
10 static int FlashReadWriteTest(void)
11 {
12 ...
STM32内部Flash使用磨损均衡算法(Erase Leveling)
1. 设计思路芯片:STM32F103ZET6软件:STM32CubeHALFlash Page Size:2K使用Flash的一页Page60(0x0801E000 ~ 0x0801E800(不包含))进行磨损均衡算法试验数据帧格式:|0x5A|data1|data2|0xA5|本实验Flash存储模型如下:首先将Page60擦除,擦除后Page60页中的数据全为1。
每次写入数据时,会顺次寻找数值FF(未写入数据的),找到后写入数据,同时将先前的有效数据置为0,若未找到FF,...
《STM32从零开始学习历程》@EnzoReventon
SPI读取FLSAH ID
相关链接: SPI物理层及FLASH芯片介绍 SPI协议层 SPI特性及架构
参考资料: [野火EmbedFire]《STM32库开发实战指南——基于野火霸天虎开发板》 [正点原子]STM32F4开发指南-库函数版本_V1.2 [ST]《STM32F4xx中文参考手册》 SPI协议及总线协议介绍 W25Q128产品数据手册
1 实现功能
本实验为学习SPI的入门实验,主要功能是实现使用SPI发送读取FLASH ID的指令来读取FLASH ID。...